rco環(huán)保催化燃燒設(shè)備 在燃燒室中，有機(jī)廢氣再由燃燒器加熱燃燒，加熱升溫至設(shè)定的氧化溫度，此時(shí)溫度為設(shè)定的800℃，使有機(jī)物被分解成二氧化碳和水。由于廢氣已在蓄熱室內(nèi)進(jìn)行過(guò)預(yù)熱，燃燒器的燃料用量大為減少。廢氣流經(jīng)蓄熱室升溫后進(jìn)入氧化室焚燒，成為凈化后的高溫氣體后離開(kāi)氧化室，進(jìn)入在上一循環(huán)已冷卻的蓄熱室。在此氣體釋放熱量，降溫后排出，而蓄熱室吸收大量熱量后升溫，其吸收的熱量用于下一個(gè)循環(huán)加熱廢氣。在此同時(shí)，廢氣引風(fēng)機(jī)經(jīng)由反吹風(fēng)管，從蓄熱室抽出少許前一循環(huán)殘留在其中的微量有機(jī)氣體，回送至廢氣風(fēng)機(jī)進(jìn)口處，再送入燃燒室中進(jìn)行焚燒，此部分氣體同處理后氣體一起離開(kāi)蓄熱室，經(jīng)熱回收設(shè)備排入大氣。 是目前成熟、穩(wěn)定、有效的有機(jī)廢氣處理設(shè)備，采用提高前輩的熱交換技術(shù)和新型蜂窩陶瓷蓄熱材料，提高前輩的換熱系統(tǒng)保證了氧化分解熱量的有效回收，熱回收率95%以上，VOC凈化率99%以上，在有機(jī)廢氣凈化領(lǐng)域具有很大的技術(shù)上風(fēng)。 揮發(fā)性有機(jī)廢氣經(jīng)系統(tǒng)風(fēng)機(jī)推進(jìn)或者吸入RTO進(jìn)口集風(fēng)管，切換閥引導(dǎo)氣體進(jìn)入蓄熱床，氣體在經(jīng)由陶瓷蓄熱床到燃燒室的過(guò)程中被逐漸預(yù)熱，在燃燒室高溫(約800℃)氧化分解，凈化后的高溫尾氣在通過(guò)另一陶瓷蓄熱床時(shí)會(huì)將熱量留在其中，使得出口處的蓄熱床得到加熱，凈化尾氣得到降溫，使得出口溫度略高于RTO進(jìn)口溫度，通常情況下溫升高不超過(guò)50-70℃。

吸附脫附催化燃燒設(shè)備有文獻(xiàn)表明，催化燃燒裝置催化焚燒時(shí)的“燃?xì)?空氣比值”范圍一般在4%～11%之間；在必定的焚燒條件之下，燃/空比為6%時(shí)，天然氣就能完成較好的催化焚燒作用，焚燒體系就可以得到熱效率，一起又能取得較好的排放作用。 吸附脫附催化燃燒設(shè)備 焚燒器溫度調(diào)理可以通過(guò)文本顯示器的鍵盤(pán)輸入，改動(dòng)變頻器的輸出頻率，調(diào)理恰當(dāng)?shù)娘L(fēng)量。當(dāng)風(fēng)量增大，焚燒溫度超越設(shè)定值，則PLc操控變頻器降低輸出頻率，減少出風(fēng)量來(lái)安穩(wěn)焚燒器的溫度。若變頻器輸出頻率低于設(shè)定值(風(fēng)機(jī)出風(fēng)量頻率，設(shè)為5 Hz)，而出風(fēng)量仍高于設(shè)定值時(shí)，PLc開(kāi)端計(jì)時(shí)，若在必定時(shí)刻內(nèi)，降低到設(shè)定值，PLc拋棄計(jì)時(shí)，持續(xù)變頻調(diào)速運(yùn)轉(zhuǎn)；若在必定時(shí)刻內(nèi)溫度仍高于設(shè)定，PLc將持續(xù)調(diào)理，直至到達(dá)設(shè)定值。由PLc經(jīng)PID運(yùn)算后操控變頻器的頻率輸出；如溫度不行，則頻率上升，延時(shí)堅(jiān)持必定時(shí)刻。反之亦然。 化燃燒裝置可以說(shuō)是一種較為常見(jiàn)的通過(guò)催化反應(yīng)（無(wú)明火）處理有機(jī)污染物的方法，具有適用范圍廣，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，凈化速率高，節(jié)能、無(wú)二次污染等優(yōu)點(diǎn)，催化燃燒廢氣處理，為了避免催化劑床層的堵塞和催化劑中毒，廢氣在進(jìn)入床層之前需要進(jìn)行預(yù)處理，以除去廢氣中的粉塵、液滴及催化劑的毒物。希望大家在選購(gòu)時(shí)選購(gòu)一款比較適合自己的廢氣處理設(shè)備。

光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機(jī)污染物完全氧化成無(wú)害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過(guò)量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含氯和含硫的有機(jī)化合物時(shí)，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理設(shè)備。 從理論上講，只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑,常見(jiàn)的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟太陽(yáng)光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。