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真空斷路器-高低壓電器真材實(shí)料加工定制
2025-07-31 06:28:48 ip歸屬地:重慶,天氣:晴,溫度:30-40 瀏覽次數(shù):45 作者:樂(lè)清 樊高電氣銷售部(重慶市分公司)
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產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品價(jià)格111/個(gè)
發(fā)貨期限1
供貨總量100000
運(yùn)費(fèi)說(shuō)明12
真空斷路器ZW7-35
范圍真空斷路器-高低壓電器供應(yīng)范圍覆蓋重慶市 萬(wàn)州區(qū)、涪陵區(qū)渝中區(qū)、大渡口區(qū)江北區(qū)、沙坪壩區(qū)、九龍坡區(qū)南岸區(qū)、北碚區(qū)、綦江區(qū)、大足區(qū)渝北區(qū)、巴南區(qū)黔江區(qū)、長(zhǎng)壽區(qū)、江津區(qū)合川區(qū)、永川區(qū)南川區(qū)、潼南區(qū)、銅梁區(qū)、榮昌區(qū)璧山區(qū)、梁平區(qū)城口縣、豐都縣、墊江縣、武隆縣忠縣、開(kāi)縣、云陽(yáng)縣奉節(jié)縣、巫山縣、巫溪縣等區(qū)域。
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真空斷路器-高低壓電器真材實(shí)料加工定制
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因此如何合理的設(shè)置鐵芯以及如何合理的設(shè)計(jì)鐵芯結(jié)構(gòu)成為提高真空滅弧室可靠性的關(guān)鍵。針對(duì)杯狀縱磁真空滅弧室觸頭,本文設(shè)計(jì)了兩種不同結(jié)構(gòu)的鐵芯,一種是結(jié)構(gòu)為環(huán)狀的鐵芯,為了減小渦流的影響,在環(huán)形鐵芯上開(kāi)一個(gè)間隙為1 mm 的斷口;另一種結(jié)構(gòu)為圓周方向布置的柱狀鐵芯,柱狀鐵芯相互不接觸,因此可以更好的減小渦流的影響。采用有限元分析方法對(duì)比分析了兩種不同結(jié)構(gòu)鐵
芯對(duì)縱向磁場(chǎng)和剩余磁場(chǎng)以及磁場(chǎng)滯后時(shí)間的影響。  觸頭結(jié)構(gòu)模型  文中仿真所采用的兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)的觸頭模型如圖1 所示,觸頭杯均有4 個(gè)杯指,為了防止觸頭片上產(chǎn)生渦流,對(duì)應(yīng)的在觸頭片上開(kāi)有四個(gè)周向均勻布置的徑向直槽。觸頭外徑尺寸為78 mm,壁厚11 mm,弧柱直徑與觸頭外徑尺寸相同,柱狀鐵芯12 個(gè),仿真模型中觸頭開(kāi)距為10 mm,杯座材料為無(wú)氧銅,支撐盤材料為不銹鋼,觸頭片材觸頭在高真空中分離時(shí),其電弧表現(xiàn)形式與外觀特性都與在空氣中的情形有較大區(qū)別。真空斷路器的擊穿機(jī)理目前主要有場(chǎng)致發(fā)射、粒撞擊和粒子交換
三種假說(shuō),在短間隙真空斷路器的相關(guān)研究中,通常由場(chǎng)致發(fā)射效應(yīng)占主導(dǎo)。在觸頭斷開(kāi)時(shí)刻,整個(gè)陰極表面會(huì)產(chǎn)生金屬蒸氣。理論上是由于觸頭分開(kāi)瞬間,電流集中在觸頭表面某點(diǎn)上,導(dǎo)致金屬橋熔化且部分金屬原子發(fā)生電離。隨著觸頭開(kāi)距的增大,場(chǎng)致發(fā)射與間隙擊穿增強(qiáng),觸頭表面金屬凸點(diǎn)不斷溶化并向觸頭間隙補(bǔ)充金屬粒子。此時(shí)陰極斑點(diǎn)會(huì)在陰極表面形成,并有更多的高能等離子體形成并擴(kuò)散至間隙內(nèi)。電弧引燃后,充滿等離子體的電極間
隙變成良好導(dǎo)體,同時(shí)陽(yáng)極開(kāi)始向電弧提供粒子。在縱向磁場(chǎng)作用下,電弧等離子體由觸頭中心向周圍擴(kuò)散,此過(guò)程會(huì)維持一段時(shí)間。對(duì)于交流真空斷路器而言,電流到達(dá)峰值后會(huì)逐漸減小,兩觸頭向等離子體提供的粒子同樣減少,此時(shí)電極間隙內(nèi)主要為弧后殘存粒子,伴隨著觸頭完全斷開(kāi),殘存粒子逐漸擴(kuò)散至消失,斷路器完成開(kāi)斷。  真空電弧等離子體的產(chǎn)生過(guò)程,可以表現(xiàn)為觸頭開(kāi)距增大、觸頭表面金屬蒸發(fā),伴隨場(chǎng)致發(fā)射效應(yīng)和金
屬電離,由于兩極電子、金屬離子的不斷補(bǔ)充,終形成電弧。在電弧等離子體的研究方面,王景、武建文等運(yùn)用連續(xù)光譜法分析了電子溫度和電子密度,并討論了中頻情況下,電弧過(guò)渡及擴(kuò)散兩種形態(tài)。胡上茂、姚學(xué)玲等利用RC 阻容式電荷收集器,對(duì)初始等離子體的觸發(fā)特性進(jìn)行了研究。舒勝文、黃道春等通過(guò)對(duì)真空斷路器開(kāi)斷過(guò)程的再研究,提出數(shù)值方針結(jié)合實(shí)驗(yàn)的方法,給出開(kāi)斷過(guò)程不同階段所需的數(shù)值仿真方法及關(guān)注點(diǎn)。趙子玉等通過(guò)C
CD 攝像技術(shù),分析了真空電弧的重燃及抑制措施



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