天津局部放電檢測(cè)儀操作說(shuō)明（作為測(cè)試儀器）試驗(yàn)操作前注意事項(xiàng)6注意試驗(yàn)，請(qǐng)閱讀本說(shuō)明書第九節(jié)“試驗(yàn)注意事項(xiàng)，并嚴(yán)格參照?qǐng)?zhí)行試驗(yàn)回路的布線：試驗(yàn)回路的布線應(yīng)該盡可能簡(jiǎn)潔，連接線應(yīng)盡可能的短，不要因?yàn)椴僮骺刂品矫娴脑蚨乖囼?yàn)回路很復(fù)雜。試驗(yàn)回路高壓側(cè)的回路面積應(yīng)盡可能的小。6.1.3、試驗(yàn)電源的濾波：試驗(yàn)電源的濾波現(xiàn)階段還是應(yīng)該采用硬件處理，軟件的濾波效果還達(dá)不到實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)使用要求。應(yīng)采用電源隔離濾波電源，做到動(dòng)力電源與實(shí)際試驗(yàn)電源隔離，試驗(yàn)頻帶內(nèi)的濾波衰減量應(yīng)大于60dB。關(guān)于空間干擾：遠(yuǎn)離干擾源（發(fā)射機(jī)、大型電機(jī)、變頻器繞線機(jī)等），減小試驗(yàn)回路面積，調(diào)整試驗(yàn)設(shè)備布置方向，試驗(yàn)場(chǎng)區(qū)上空應(yīng)沒(méi)有動(dòng)力電纜等強(qiáng)磁場(chǎng)源，試驗(yàn)場(chǎng)區(qū)地下應(yīng)沒(méi)有電纜槽5極端情況下可裝備屏蔽房正確連接試驗(yàn)線路6.2.1、根據(jù)試品情況確定高壓施加方式：通過(guò)無(wú)暈變壓器產(chǎn)生高壓的方式：感應(yīng)試驗(yàn)，通過(guò)串聯(lián)諧振的方式在試品上產(chǎn)生高壓選擇合適的試驗(yàn)形式、試驗(yàn)回路，根據(jù)第五節(jié)的“5.1、常用試驗(yàn)回路”選擇。通常情況下選擇“并聯(lián)法”測(cè)試回路。、選擇合適的檢測(cè)阻抗（輸入單元），見(jiàn)附錄一：“檢測(cè)阻抗”簡(jiǎn)介。正確連接試驗(yàn)線路防止接線不良人為引起的放電6.3、設(shè)備操作設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序安裝本系統(tǒng)在WINDOWS XP 下工作, 使用時(shí)需要安裝設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序，一臺(tái)計(jì)算機(jī)在次連接時(shí)需要人工安裝設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序, 以后再連接時(shí)設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序會(huì)自動(dòng)安裝。 下面介紹人工安裝設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序的方法。6.3.1.1采集卡驅(qū)動(dòng)安裝由系統(tǒng)提示發(fā)現(xiàn)新硬件后根據(jù)提示手動(dòng)選擇硬件的驅(qū)動(dòng)程序路徑，指向光盤（win2000xp路徑），完成安裝。6.3.1.2支持軟件安裝局放系統(tǒng)運(yùn)行需要安裝支持軟件：開(kāi)啟電源：連接試驗(yàn)電路，并確認(rèn)無(wú)誤后，首先開(kāi)啟系統(tǒng)電源，儀器電源插座及電源開(kāi)關(guān)在儀器背面，打開(kāi)儀器電源開(kāi)關(guān)，儀器的信號(hào)處理電路開(kāi)始工作，再啟動(dòng)計(jì)算機(jī)電源開(kāi)關(guān)（儀器正面ON/OFF）,啟動(dòng)計(jì)算機(jī)進(jìn)入WINDOWS XP系統(tǒng)。

天津局部放電檢測(cè)儀局部放電的定義及產(chǎn)生原因在電場(chǎng)作用下，絕緣系統(tǒng)中只有部分區(qū)域發(fā)生放電，但尚未擊穿，（即在施加電壓的導(dǎo)體之間沒(méi)有擊穿）。這種現(xiàn)象稱之為局部放電。局部放電可能發(fā)生在導(dǎo)體邊上，也可能發(fā)生在絕緣體的表面上和內(nèi)部，發(fā)生在表面的稱為表面局部放電。發(fā)生在內(nèi)部的稱為內(nèi)部局部放電。而對(duì)于被氣體包圍的導(dǎo)體附近發(fā)生的局部放電，稱之為電暈。由此 總結(jié)一下局部放電的定義，指部分的橋接導(dǎo)體間絕緣的一種電氣放電，局部放電產(chǎn)生原因主要有以下幾種：1、電場(chǎng)不均勻。2、電介質(zhì)不均勻。3、制造過(guò)程的氣泡或雜質(zhì)。經(jīng)常發(fā)生放電的原因是絕緣體內(nèi)部或表面存在氣泡；其次是有些設(shè)備的運(yùn)行過(guò)程中會(huì)發(fā)生熱脹冷縮,不同材料特別是導(dǎo)體與介質(zhì)的膨脹系數(shù)不同，也會(huì)逐漸出現(xiàn)裂縫；再有一些是在運(yùn)行過(guò)程中有機(jī)高分子的老化，分解出各種揮發(fā)物，在高場(chǎng)強(qiáng)的作用下，電荷不斷地由導(dǎo)體進(jìn)入介質(zhì)中， 在注入點(diǎn)上就會(huì)使介質(zhì)氣化。二 、局部放電的模擬電路及放電過(guò)程簡(jiǎn)介介質(zhì)內(nèi)部含有氣泡，在交流電壓下產(chǎn)生的內(nèi)部放電特性可由圖1—1的模擬電路(a b c等值電路)予以表示；其中Cc是模擬介質(zhì)中產(chǎn)生放電間隙(如氣泡)的電容；Cb代表與Cc串聯(lián)部分介質(zhì)的合成電容；Ca表示其余部分介質(zhì)的電容。(a) 實(shí)際介質(zhì) 模擬電路I——介質(zhì)有缺陷(氣泡)的部份(虛線表示)II——介質(zhì)無(wú)缺陷部份圖1—1 表示具有內(nèi)部放電的模擬電路圖1—1中以并聯(lián)有—對(duì)火花間隙的電容Cc來(lái)模擬產(chǎn)生局部放電的內(nèi)部氣泡。圖1—2表示了在交流電壓下局部放電的發(fā)生過(guò)程。