[真空斷路器"因其滅弧介質(zhì)和滅弧后觸頭間隙的絕緣介質(zhì)都是高真空而得名,其具有體積小，重量輕，適用于頻繁操作，滅弧不用檢修的優(yōu)點(diǎn)，在配電網(wǎng)中應(yīng)用較為普及，真空斷路器是3-10kV，50Hz三相交流系統(tǒng)中的戶內(nèi)配電裝置。
  真空斷路器處于合閘位置時，其對地絕緣由支持絕緣子承受，一旦真空斷路器所連接的線路發(fā)生 接地故障，斷路器動作跳閘后，接地故障點(diǎn)又未被，則有電母線的對地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受,各種故障開斷時。
  壓力低于一個大氣壓的氣體稀薄的空間，稱為真空空間，真空度越高即空間內(nèi)氣體壓強(qiáng)越低，真空度的單位有三種表示方式:托(即1個mm柱高)，毫巴(103bar)或帕(帕斯卡:Pa)，(1托=131，6Pa，1毫巴=100Pa)我們通常所說真空滅弧室內(nèi)部的真空度要達(dá)10-4托是指滅弧室內(nèi)的氣體壓強(qiáng)僅為"萬分之。
  亦即是1，31x10-2Pa，"派森定理"亦有譯為"巴申定律"，是指間隙電壓耐受強(qiáng)度與氣體壓力之間的關(guān)系，圖1表示派森定理的關(guān)系曲線呈"V"字形，即充氣壓力的增加或降低，都能提高極間間隙絕緣強(qiáng)度，其擊穿機(jī)理至今還不清楚。

對真空斷路器在不同真空度情況下的有限元電場 分析，以及模擬實驗的測量分析，可以得出以下幾點(diǎn)結(jié)論:屏蔽罩電位與斷路器外的測量點(diǎn)電位基本保持同步變化的關(guān)系，對測量點(diǎn)處電位的測量能夠很好地反應(yīng)屏蔽罩的電位；在壓強(qiáng)小于10-2Pa的高真空下，測量電位的變化極其弱，檢測難度較大。但在壓強(qiáng)處于10-2Pa之上時，測量電位有較大的變化，因此可以對此時的電位進(jìn)行測量，作為真空斷路器檢修的預(yù)警號。本文的分析結(jié)果給基于屏蔽罩電位測量真空度的方案提供了參考和依據(jù)，對在線真空度測量系統(tǒng)的研究具有積極意義。為進(jìn)一步理解真空斷路器開斷過程中的電流零區(qū)現(xiàn)象， 分析了真空斷路器開斷短路故障和切除電容器組時瞬態(tài)恢復(fù)電壓(transientrecoveryvoltage,TRV)和弧后電流的相互作用。在PSCAD/EMTDC中建立了基于Langmuir探針理論的真空斷路器弧后電流 模型， 結(jié)果和試驗結(jié)果相符，驗證了模型有效性。 結(jié)果表明：開斷短路故障時，是否考慮弧后電流對TRV沒有明顯的影響，弧后電流大小則與TRV上升率成正比;切除電容器組時，弧后電流對起始TRV有顯著影響，但對工頻恢復(fù)電壓沒有影響。此外，短路類型、短路點(diǎn)位置、短路合閘相角、系統(tǒng)等效電感、電容等網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對TRV和弧后電流也有很大影響。研究成果有助于分析不同工況下真空斷路器面臨的開斷考驗。引言真空斷路器采用真空作為滅弧和絕緣介產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的規(guī)模型企業(yè)，公司技術(shù)力量雄厚，設(shè)備配套完善，產(chǎn)品型號多樣，隨著公司的不斷發(fā)展，產(chǎn)品設(shè)計科學(xué)、制作精良、造型美觀，是現(xiàn)代電網(wǎng)建設(shè)的理想的配套產(chǎn)品，其中戶內(nèi)（外）真空斷路器，隔離開關(guān)，負(fù)荷開關(guān)，氧化鋅避雷器，熔斷器，穿墻套管，絕緣子，電流互感器，高壓電力計量箱等一系列高低壓電氣產(chǎn)品暢銷全國各地我們以“科技興業(yè)，質(zhì)量創(chuàng)牌，誠經(jīng)營，優(yōu)良服務(wù)”的企業(yè)宗旨；一直致力于追求卓越的民族電氣工業(yè)，為廣大新老用戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)而不懈努力，您的滿意始終是我們追求的目標(biāo)，真誠歡迎新老朋友惠顧，共創(chuàng)美好未來。質(zhì)，具有熄弧能力強(qiáng)、體積小、重量輕、使用壽命長、無火災(zāi)危險、不污染環(huán)境等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于40.5kV及以下電壓等級的中壓配網(wǎng)中。在真空斷路器的電流開斷過程中，由于真空電弧電壓很小，從電流即將過零到過零瞬間，真空間隙一直充滿著高電導(dǎo)率的電弧等離子體，從而與外電路之間沒有明顯的相互作用。電流過零時真空間隙中仍然存在許多殘余粒子，包括電子、離子、金屬蒸氣和金屬液滴等。電流過零后，觸頭間的殘余電荷將在瞬態(tài)恢復(fù)電壓(transientrecoveryvoltage,TRV)的作用下發(fā)生定向移動，形成所謂的弧后電流。真空間隙隨著殘余粒子的不斷擴(kuò)散從高導(dǎo)電狀態(tài)迅速轉(zhuǎn)變成高阻狀態(tài)。因此，真空電弧(如殘余粒子擴(kuò)散、弧后電流等)與外電路(主要為TRV)的相互作用主要發(fā)生在電流過零后。而在SF6斷路器中，氣體電弧與外電路的相互作用主要發(fā)生在電流過零以前。由于電流零區(qū)(尤其是零后幾到幾十μs內(nèi)的間隙狀態(tài))是真空斷路器成功開斷的關(guān)鍵，故許多研究人員對其進(jìn)行了試驗和 研究，試圖從中找到表征真空斷路器開斷性能的特征參數(shù)。如參文對真空斷路器大電流開斷過程的電流零區(qū)進(jìn)行了高分辨率的參數(shù)測量。