)嚴格進行交接驗收。真空開關(guān)出廠前
已做過試驗，但在運往現(xiàn)場安裝完畢后，必須進行有關(guān)參數(shù)的復(fù)核。以防止設(shè)備在運輸中的變化，特別是操動機構(gòu)與真空開關(guān)連接后的問題。主要復(fù)測的參數(shù)有：合閘跳，分閘同期，開距，超程，合、分閘速度，合、分閘時間，直流接觸電阻，斷口絕緣水平。  (2)重視緩沖特性的調(diào)整。操動機構(gòu)在高壓真空開關(guān)機械結(jié)構(gòu)中是為復(fù)雜、精度要求高的部分，為了保證高壓真空開關(guān)的可靠性，一般采取分裝式結(jié)構(gòu)，即將操動機構(gòu)與開關(guān)主
體二者分開，由生產(chǎn)條件比較好的工廠集中生產(chǎn)操動機構(gòu)，然后再將機構(gòu)的輸出軸與開關(guān)合而為一，所以機械參數(shù)的合理配置與調(diào)整，直接關(guān)系到高壓真空開關(guān)的技術(shù)性能和機械壽命。滿意的緩沖特性應(yīng)該是運動部件接觸緩沖瞬間，緩沖器提供較小的反力，隨著緩沖距離的增加，緩沖特性迅速變陡，大可能地吸離能量，達到限制分閘反和分閘行程的目的。  (3)嚴格控制真空開關(guān)的合、分閘速度。真空開關(guān)的合閘速度過低時，會由
于預(yù)擊穿時間加長，而增大觸頭的磨損量。又由于真空開關(guān)滅弧室一般采用銅焊工藝，并且經(jīng)高溫下去氣處理，所以它的機械強度不高，耐振性差。如果開關(guān)合閘速度過高會造成較大的振動，還會對波紋管產(chǎn)生較大沖擊，降低波紋管壽命。通常真空開關(guān)的合閘速度為0.6～2m/s，對一定結(jié)構(gòu)的真空開關(guān)有著佳合閘速度。真空開關(guān)斷路時的燃弧時間短，其大燃弧時間不超過1.5 個工頻半波，因此，需要嚴格控制開關(guān)的分閘速度。此外，要
求真空開關(guān)的分閘緩沖器與合閘緩沖器有較好的特性，盡量減輕分閘或合閘時的沖擊力，以保護真空滅弧室的使用壽命。3、溫升  高壓真空開關(guān)的回路電阻是影響溫升的主要原因，而滅弧室的回路電阻通常要占高壓真空開關(guān)回路電阻的50%以上。觸頭間的接觸電阻是真空滅弧室回路電阻的主要組成部分，因為觸頭系統(tǒng)密封于真空滅弧室內(nèi)，觸頭與外殼之間的真空形成了熱絕緣，所以觸頭和導(dǎo)電桿上的熱量只能通過動、靜導(dǎo)電桿
向外部傳導(dǎo)散熱。真空滅弧室靜端直接與靜支架相連，動端則通過導(dǎo)電夾、軟連接與動支架相連。因動端連接環(huán)節(jié)較多，導(dǎo)熱路徑較長，所以高壓真空開關(guān)溫升的高點多集中于動導(dǎo)電桿與導(dǎo)電夾搭接部位。在實際應(yīng)用中，有效的利用靜端有利于散熱的元件，迫使觸頭間隙熱量較多的從靜端導(dǎo)出，分流動端的熱量，是解決高壓真空開關(guān)溫升偏高的有效措施。4、結(jié)論  真空開關(guān)優(yōu)越的技術(shù)應(yīng)用特性，得到了廣大用戶的普遍認可，隨
著經(jīng)濟建設(shè)的持續(xù)增長，今后將得到越來越廣泛的應(yīng)用。

因此如何合理的設(shè)置鐵芯以及如何合理的設(shè)計鐵芯結(jié)構(gòu)成為提高真空滅弧室可靠性的關(guān)鍵。針對杯狀縱磁真空滅弧室觸頭，本文設(shè)計了兩種不同結(jié)構(gòu)的鐵芯，一種是結(jié)構(gòu)為環(huán)狀的鐵芯，為了減小渦流的影響，在環(huán)形鐵芯上開一個間隙為1 mm 的斷口;另一種結(jié)構(gòu)為圓周方向布置的柱狀鐵芯，柱狀鐵芯相互不接觸，因此可以更好的減小渦流的影響。采用有限元分析方法對比分析了兩種不同結(jié)構(gòu)鐵
芯對縱向磁場和剩余磁場以及磁場滯后時間的影響。  觸頭結(jié)構(gòu)模型  文中仿真所采用的兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)的觸頭模型如圖1 所示，觸頭杯均有4 個杯指，為了防止觸頭片上產(chǎn)生渦流，對應(yīng)的在觸頭片上開有四個周向均勻布置的徑向直槽。觸頭外徑尺寸為78 mm，壁厚11 mm，弧柱直徑與觸頭外徑尺寸相同，柱狀鐵芯12 個，仿真模型中觸頭開距為10 mm，杯座材料為無氧銅，支撐盤材料為不銹鋼，觸頭片材觸頭在高真空中分離時，其電弧表現(xiàn)形式與外觀特性都與在空氣中的情形有較大區(qū)別。真空斷路器的擊穿機理目前主要有場致發(fā)射、粒撞擊和粒子交換
三種假說，在短間隙真空斷路器的相關(guān)研究中，通常由場致發(fā)射效應(yīng)占主導(dǎo)。在觸頭斷開時刻，整個陰極表面會產(chǎn)生金屬蒸氣。理論上是由于觸頭分開瞬間，電流集中在觸頭表面某點上，導(dǎo)致金屬橋熔化且部分金屬原子發(fā)生電離。隨著觸頭開距的增大，場致發(fā)射與間隙擊穿增強，觸頭表面金屬凸點不斷溶化并向觸頭間隙補充金屬粒子。此時陰極斑點會在陰極表面形成，并有更多的高能等離子體形成并擴散至間隙內(nèi)。電弧引燃后，充滿等離子體的電極間
隙變成良好導(dǎo)體，同時陽極開始向電弧提供粒子。在縱向磁場作用下，電弧等離子體由觸頭中心向周圍擴散，此過程會維持一段時間。對于交流真空斷路器而言，電流到達峰值后會逐漸減小，兩觸頭向等離子體提供的粒子同樣減少，此時電極間隙內(nèi)主要為弧后殘存粒子，伴隨著觸頭完全斷開，殘存粒子逐漸擴散至消失，斷路器完成開斷。  真空電弧等離子體的產(chǎn)生過程，可以表現(xiàn)為觸頭開距增大、觸頭表面金屬蒸發(fā)，伴隨場致發(fā)射效應(yīng)和金
屬電離，由于兩極電子、金屬離子的不斷補充，終形成電弧。在電弧等離子體的研究方面，王景、武建文等運用連續(xù)光譜法分析了電子溫度和電子密度，并討論了中頻情況下，電弧過渡及擴散兩種形態(tài)。胡上茂、姚學玲等利用RC 阻容式電荷收集器，對初始等離子體的觸發(fā)特性進行了研究。舒勝文、黃道春等通過對真空斷路器開斷過程的再研究，提出數(shù)值方針結(jié)合實驗的方法，給出開斷過程不同階段所需的數(shù)值仿真方法及關(guān)注點。趙子玉等通過C
CD 攝像技術(shù)，分析了真空電弧的重燃及抑制措施

主要是由于觸頭分開后殘余粒子定向移動引起。經(jīng)過此階段后，內(nèi)部等離子體維持這一狀態(tài)而外部電弧開始對外擴散，并在電流過零點以前擴散完全。從二值圖像中可以看出，剩余粒子對電弧重燃起到很大作用。  3.3、對比實驗  文中高速攝像機采集的電弧圖像為垂直拍攝方式，其中涉及到光強疊加與電弧徑向分布不均等問
題。在擴散型電弧數(shù)字采集過程中，圖像中內(nèi)部電弧達到光強飽和邊緣，但未超出實驗可分析的灰度差范圍。為保證電弧等離子體幾何形態(tài)特征提取的準確性，特采集小電流擴散型電弧圖像作為對比實驗，這里只分析熄弧階段的電弧等離子體特征，電弧熄弧階段等離子體形態(tài)如圖8。經(jīng)過對電弧圖像去噪聲及形態(tài)學處理，計算外部輪廓與內(nèi)部高能等離子體形態(tài)分布，其時間-面積曲線如圖9本文利用高速攝像機采集真空斷路器斷開時電弧形態(tài)，通過圖
像去噪、數(shù)字圖像形態(tài)學操作，用選定特殊閾值的方法對電弧外在輪廓及內(nèi)部高能等離子幾何形狀(主要為面積形狀) 進行統(tǒng)計說明，同時分析了內(nèi)部高能等離子體與電弧外在輪廓的關(guān)系，得到以下結(jié)論：  (1)伴隨著真空電弧引弧、平穩(wěn)燃弧、熄弧及弧后介質(zhì)恢復(fù)四階段，電弧等離子體面積形態(tài)可分為平穩(wěn)擴散、迅速減小和后期維持三個階段。在平穩(wěn)擴散階段內(nèi)部高能等離子體不斷得到補充，與電弧輪廓同比例增加。面積迅速減小階
段，觸頭逐漸停止向間隙提供粒子，內(nèi)部電弧在磁場作用下被擴散至周圍，電弧開始熄滅。后期維持階段主要表現(xiàn)為殘余粒子和電荷鞘層。隨著殘余粒子的消散，介質(zhì)恢復(fù)不斷得到加強，此階段的電弧形態(tài)直接影響著重燃與否。  (2)通過電弧內(nèi)外面積差，可以看出真空斷路器是否熄弧完全。的分斷電弧表現(xiàn)為，電流過零點之后，面積差迅速增大，高能等離子體得不到有效補充; 達到峰值后，面積差迅速減小，使得殘余粒子快速擴
散，為介質(zhì)恢復(fù)提供條件。  真空開關(guān)電弧等離子體幾何形態(tài)研究為真空技術(shù)網(wǎng)首發(fā)，轉(zhuǎn)電力系統(tǒng)運行中經(jīng)常發(fā)生分、合閘線圈燒毀事故。當電氣設(shè)備發(fā)生事故時，如果因高壓真空斷路器分閘回路斷線出現(xiàn)真空斷路器拒動現(xiàn)象，將使事故擴大，造成越級分閘致使大面積停電，甚至造成電力設(shè)備燒毀、火災(zāi)等嚴重后果。而合閘回路完整性破壞時，雖然所造成的危害比分閘回路完整性破壞時要小一些，但它也使得線路不能正常送電，妨礙了供電
可靠性的提高。所以很有必要對真空斷路器線圈燒毀原因進行分析，積累了事故處理經(jīng)驗，提出防范措施和技術(shù)改進，為斷路器檢修工作提供工作參考。