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SAMSUNG6_回收庫存電子正規(guī)商家



4月16日,三星宣布完成5nm FinFET工藝開發(fā),臺(tái)積電則推出了6nm(N6)工藝,都將利用EUV光刻,在2020年開始投產(chǎn)。

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在2022年年底格芯將把Fab 10的擁有權(quán)轉(zhuǎn)讓給安森美。目前Fab 10是制造和ASIC客戶的90/65/45/32 22/22/14nm邏輯平臺(tái)的所在地,近在RF SOI和矽光子技術(shù)領(lǐng)域建立了新的功能,包括利用90nm和45nm技術(shù)的矽光子產(chǎn)線。格芯將繼續(xù)投資新加坡和伯靈頓的200mm設(shè)施,以提高在射頻、嵌入式儲(chǔ)存體和類比混合號(hào)方面的領(lǐng)X地位。

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據(jù)悉,國科發(fā)布的GK2302系列芯片采用高速SATA 6Gbps接口,讀寫速度達(dá)到500MB/s。容量 支持4TB。相比上一代產(chǎn)品,GK2302的性能15%,功耗降低6.5%,全硬盤性能18.4%,將為客戶提供高性能、高、高可靠的存儲(chǔ)解決方案。

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